我国半导体电路不应盲目追随国际先进工艺

　2019年10月18日，2019中国集成电路创新峰会在上海举行。多位中科院院士和知名专家就我国集成电路技术和产业发展发表了观点。多位专家认为，我国集成电路在紧跟发达、遵循摩尔定律技术路线的同时，要采取“市场驱动、人才支撑”战略，大力开发14纳米、28纳米等非先进技术节点的特色工艺，研制集成式智能传感器和微系统模组，同时扩大芯片制造工艺专业的本科生、研究生招生规模，为芯片制造企业提供更多的人才。

　　在此次峰会上，复旦大学微电子学院院长、集成电路创新中心总经理张卫教授发布了《中国集成电路技术路线图（2019版）》，从集成电路制造技术、先进光刻工艺、逻辑工艺技术、存储器技术、“超越摩尔”特制化技术、第三代功率半导体技术等6个方面为我国集成电路技术研发设立了“路标”。据悉，此次发布的路线图只是初版，通过此次论坛，集中集体智慧和各院士专家的建议后，或将做进一步完善和修改。

　　听完张卫的报告后，中科院院士、中科院微电子研究所研究员刘明说：“我们要制定市场驱动下的技术路线图，并非一定要接近7纳米、5纳米和3纳米。”所谓“7纳米、5纳米和3纳米”，指的是国际的芯片制造企业遵循摩尔定律，已达到或正在接近的3个技术节点。

　　摩尔定律由英特尔创始人戈登·摩尔提出，指在价格不变情况下，集成电路上可容纳的元器件数目和性能，每隔18至24个月会增加或提升1倍。目前，国际的芯片制造企业台积电即将进入5纳米量产阶段，中国大陆企业与之差距很大。在刘明看来，中国大陆企业要尽快将14纳米工艺节点推向量产，还要根据市场需求，对看似落后的28纳米工艺节点做深度开发。因为智能手机、智能穿戴设备、自动驾驶汽车等兴起后，“超越摩尔”的技术需求量越来越大。

　　所谓“超越摩尔”，是指非数字、多元化半导体技术与产品（如传感器）可以在成熟的工艺生产线上研发，无需遵循摩尔定律，在工艺尺寸上越做越小。

　　半导体是一个国际化的产业，但中国的半导体市场和国际是否一样？我们怎么差异化的找出擅长的领域来发展，以便有利于未来的国际合作。刘明提到，“当摩尔定律这条路走到极限，未来不外乎两条路，创新发展新器件和三维系统集成封装。”而中国的半导体发展或许应该以市场为驱动，而非盲目的追随国际先进工艺。”

　　电子科技大学集成电路研究中心主任张波的观点，与刘明相仿，他说：“我们不要一味紧跟摩尔定律、冲击3纳米工艺节点，而是要将已有工艺做强做深，在14纳米、28纳米工艺节点上开发出一系列特色工艺。”如何做到这一点？张波认为重要的是培养人才，而且要让更多的人才进入芯片制造企业。

　　另外，在“超越摩尔”领域，张卫教授表示，我国的单体传感器与美、欧、日有较大差距，而在集成式智能传感器、微系统模组方面与这些处于同一起跑线。他建议，上海要利用集成电路、智能传感器的技术和产业优势，推动基于半导体基板埋入（SESUB）和系统级封装（SiP）工艺的集成式智能传感器、微系统模组的研发和产业化。如研发跨环境和声学类、惯性类等集成式智能传感器，以及用于手机、手表、手环、无线耳机、增强现实和虚拟现实、物联网等产品的SiP模组，通过市场驱动，为消费类电子、汽车电子、智能家居等行业服务。